韦尔股份获得实用新型专利授权:“一种沟槽SiCMOSFET器件”
来源:未知 点击: 发布时间:2024-06-02 16:40

  照明分电箱辐射电导率输出电压摆幅耗尽层凯时官网联系方式证券之星消息,根据企查查数据显示韦尔股份(603501)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种沟槽SiCMOSFET器件”凯时官网联系方式凯时官网联系方式,专利申请号为CN3.5凯时官网联系方式,授权日为2024年1月26日。

  专利摘要:本申请实施例提供了一种沟槽SiCMOSFET器件凯时官网联系方式凯时官网联系方式凯时官网联系方式,通过在沟槽底部设置第三注入区,在器件进行反偏工作时凯时官网联系方式凯时官网联系方式,第一阱区和第二阱区分别和外延层反偏的同时第三注入区和外延层也形成耗尽层凯时官网联系方式,两边耗尽层的形成有助于减小栅极角落位置电场强度,提升产品可靠性。

  今年以来韦尔股份新获得专利授权5个凯时官网联系方式凯时官网联系方式。结合公司2023年中报财务数据凯时官网联系方式凯时官网联系方式,2023上半年公司在研发方面投入了9.38亿元,同比减18.85%凯时官网联系方式凯时官网联系方式。

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