变压比标准单元外延缺陷凯时国际首页绝对高度被托举人王文樑来自华南理工大学材料科学与工程学院，2019年，经中国有色金属学会评审推荐，入选了第五届中国科协“青年人才托举工程”项目。在青托项目的支持下，在学会提供的优秀平台及导师团队的指导下，被托举人开展III族氮化物材料与芯片研究，取得了一定的进步。

　　当今国际局势紧张，单边主义、保护主义盛行。以美国为首的西方国家为了限制中国的发展，对我国挑起了贸易战，企图通过卡住芯片这一经济命脉，扼杀我国的科技、经济发展。因此，发展具有自主可控的半导体材料与芯片技术对维护国家的长期和平与发展具有战略意义。III族氮化物具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电场等优点，可用于制备发光二极管、探测器、功率射频器件等，在半导体照明、可见光通信、轨道交通等领域展现出广阔的应用前景。因此开展III族氮化物材料与芯片研究意义重大。

　　目前，III族氮化物材料与芯片仍面临异质界面机制不清晰、材料缺陷密度高、芯片性能较差等问题，为推动我国半导体芯片产业发展，被托举人在托举导师团队的指导下，在中国科协青年人才托举工程、国家重点研发计划子（任务）课题、国家自然科学基金面上项目、国防科技创新特区项目等的支持下，开展III族氮化物材料与芯片研究：

　　1、在异质界面机制研究方面：提出了一种基于密度泛函理论的第一性原理计算结合界面调控的方法，揭示了III族氮化物/衬底初始界面的形成机制，首次实现了维度可控III族氮化物生长。

　　2、在外延材料缺陷控制方面：发明了一种低温PLD结合高温MOCVD的两步生长法，有效控制了III族氮化物的应力和缺陷密度，实现了III族氮化物缺陷密度下降至107cm-2。

　　3、在器件设计与制备方面：设计了多种新型III族氮化物异质结构，调控了光电器件功能层中III族氮化物的能带结构及载流子输运特性，实现了III族氮化物光电器件性能提升超过30%。

　　基于上述研究基础，团队与华为技术、国星半导体、众拓光电、雷士光电等企业开展产学研合作，实现了相关技术成果的产业化；相关技术应用于国内外多项半导体照明与通信的重大工程中，产生了显著的社会经济效益。相关研究成果被周廉院士和赵连城院士领衔的专家团队鉴定为主要性能指标达到国际领先水平；获2019年广东省技术发明一等奖（排名第2）、2020年中国有色金属工业科学技术奖一等奖（排名第2）、2021年粤港澳大湾区高价值专利培育布局大赛金奖（排名第2）等科研奖励。

　　今后，被托举人将不忘初心，奋勇前行，进一步深入开展III族氮化物材料与芯片研究，为打破国外半导体芯片技术垄断，实现我国在该领域的技术自主可控贡献一份力量。

　　王文樑，男，1989年1月生，党员，党支部书记，华南理工大学副教授，入选中国科协青年人才托举、广东省杰青等计划。聚焦于III族氮化物外延材料与芯片研究。近五年，主持国家自然科学基金面上及青年项目、国家重点研发计划子（任务）课题、国防科技创新特区项目、广东省重点领域研发计划课题等国家/省部级项目10余项；发表Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano等第一/通讯作者SCI论文30余篇，被诺贝尔物理学奖得主Amano及Nakamura教授、美国国家工程院院士Atwater、Schlom、Bhattacharya、Bowers、DenBaars等教授、中国科学院院士王占国、郑有炓、郝跃等教授他引1000余次；被国际材料领域著名杂志Materials View China、国际半导体领域著名杂志Semiconductor Today及化学与材料科学杂志专题报道8次；授权中国、美国、澳大利亚等国内外发明专利13件；国内外邀请报告10余次；获2019年广东省技术发明一等奖（排名第2）、2020年中国有色金属工业科学技术奖一等奖（排名第2）、2021年粤港澳大湾区高价值专利培育布局大赛金奖（排名第2）等科研奖励6项。

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