标准单元变压比绝对高度外延缺陷凯时国际首页随着SiC应用领域的扩展，需求的激增凯时国际首页，产业对于SiC外延片品质和产能要求不断提高凯时国际首页，SiC外延设备也就占据了产业链上游关键环节。

　　近日，纳设智能成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备凯时国际首页，此设备具备独特反应腔室设计凯时国际首页凯时国际首页、可独立控制的多区进气方式凯时国际首页、以及智能的控制系统凯时国际首页凯时国际首页，将更好的提高外延片的均匀性凯时国际首页，降低外延缺陷及生产中的耗材成本凯时国际首页凯时国际首页。

　　目前凯时国际首页，6英寸碳化硅技术已经趋向成熟凯时国际首页，产业正在向8英寸迈进凯时国际首页，相信在不久的将来会进入8英寸时代。晶圆尺寸越大，外延工艺难度也就越大，必然对设备提出更高的要求，正所谓“一代设备，一代工艺”凯时国际首页，纳设智能开发的8英寸碳化硅外延设备顺应了产业向更大尺寸的发展趋势，在技术上具有前瞻性凯时国际首页，同时能够向下兼容6英寸外延凯时国际首页凯时国际首页凯时国际首页，非常符合当前市场对于6英寸和8英寸兼容的需求凯时国际首页凯时国际首页。

　　在技术上凯时国际首页，纳设智能持续围绕提升工艺指标凯时国际首页、降低耗材成本和维护频次方面进行产品的迭代优化凯时国际首页，不断在反应室系统凯时国际首页，气体输运系统和整体软件系统等方面进行技术创新。目前，纳设智能已实现8英寸碳化硅外延设备的交付凯时国际首页凯时国际首页，该设备在客户现场生产的外延片厚度不均匀性≤2%，浓度不均匀性~4%凯时国际首页凯时国际首页凯时国际首页，表面粗糙度≤0.3cm-2凯时国际首页，缺陷控制良好。

　　纳设智能以市场需求为导向研发新装备凯时国际首页，解决一批核心问题，形成一批自有技术，相关技术指标的突破，标志着纳设智能已成功掌握8英寸SiC外延设备相关技术凯时国际首页凯时国际首页凯时国际首页，可为行业提供更为先进的技术支持凯时国际首页凯时国际首页，进一步提高我国碳化硅产业自主创新能力，促进第三代半导体产业的发展。

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