我国应保持硅基LED先发优势提升自主品牌的国际竞争力

2015年2月12日，美国国际贸易委员会(ITC)投票决定正式对部分LED产品及其同类组件启动337调查，涉案产品包括LED灯泡以及LED芯片等凯时国际首页。一时间业界哗然，LED领域的专利战一触即发。对LED芯片来说，蓝宝石衬底技术被日亚掌控，美国科锐独霸碳化硅衬底... [查看详情]

高压SiC MOSFET研究现状与展望

）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现... [查看详情]

147亿！这一年产30万片SiC外延项目启动

外延缺陷变压比标准单元绝对高度凯时国际首页近日，赛达半导体科技有限公司（以下简称赛达半导体）碳化硅（SiC）外延项目环评消息公示。 公告显示，该项目总投资约14.7亿元，占地面积11979m，总建筑面积7887m，将租赁长城汽车徐水分公司原有厂房和空地（华讯... [查看详情]

【综述】碳化硅中的缺陷检测技术

凯时国际首页标准单元变压比绝对高度外延缺陷随着对性能优于硅基器件的碳化硅（SiC）功率器件的需求不断增长，碳化硅制造工艺的高成本和低良率是尚待解决的最紧迫问题。研究表明，SiC器件的性能很大程度上受到晶体生长过程中形成的所谓杀手缺陷（影响良率的... [查看详情]

2022最美科技工作者丨湖北“最美科技工作者”——刘胜

2022年3月，中央宣传部、中国科协、科技部凯时国际首页、中国科学院、中国工程院、国防科工局6部门联合印发《关于开展2022年最美科技工作者学习宣传活动的通知》，陆续在全社会广泛开展最美科技工作者学习宣传活动。 近日，2022年最美科技工作者宣传专题已在... [查看详情]